LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。

题目
判断题
LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。
A

B

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第1题:

公路安全护栏碰撞能量的最高值为( )。

A.450kJ
B.760kJ
C.590kJ
D.660kJ

答案:B
解析:
见表2-5-1,公路安全护栏碰撞能量的最低值为40kJ,最高值为760kJ

第2题:

考虑用户数量随城市发展而逐步增加,低压管道以枝状布置为主,也允许布置环状管道。


正确答案:错误

第3题:

低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?


参考答案:①晶体生长或成膜的质量好;②淀积温度低,便于控制;③可使淀积衬底的表面积扩大,提高淀积效率。

第4题:

一般分子筛脱水适合于裂解气在(),而分子筛再生适合在()。

  • A、低温,低压;高温,高压
  • B、高温,低压;低温,高压
  • C、低温,高压;高温,低压
  • D、高温,高压;低温,低压

正确答案:C

第5题:

二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。


正确答案:氧化;气相

第6题:

热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?


正确答案: 简述其工作原理。淀积速率与蒸发材料温度腔体形状等因素有关。淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板,它可以在谐振频率下振荡,工作时测量其振荡频率。原理:因为晶体顶部有材料蒸发淀积,所外加的质量将使得频率偏移,由测得的频率移动可得出淀积速率。淀积足够厚的材料后,谐振频率会移动几个百分点,振荡器便会失效,不再出现尖锐谐振。将频率测量系统的输出与机械挡板的控制相连,淀积层厚度可以在很宽的淀积速率范围内得到很好的控制。同时可以将淀积厚度的时间速率变化反馈给坩埚的温度控制,以得到恒定的淀积速率。

第7题:

采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜?这层膜的优点是什么?


正确答案:多晶硅薄膜
用TEOS(正硅酸乙酯)-臭氧方法淀积SiO2 Si(C2H5O4)+8O3 SiO2+10H2O+8CO2
优点:
A.低温淀积;
B.高的深宽比填隙能力;
C.避免硅片表面和边角损伤。

第8题:

每天需要的总能量应为

A.450kcal

B.500kcal

C.550kcal

D.600kcal

E.660kcal


正确答案:E

第9题:

损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。

  • A、能量淀积
  • B、动量淀积
  • C、能量振荡
  • D、动量振荡

正确答案:A

第10题:

电子束的能量在组织中随深度增加而增强。


正确答案:错误