问答题APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是？

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APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是？

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相似问题和答案

第1题：

简述PECVD设备的特点。

正确答案:P.ECVD设备的优点：
1）可以大面积均匀成膜、生长性好、能在较低的温度下形成致密的薄膜；
2）可防止热产生的损伤及相互材料的扩散；
3）可生长需要低温成膜及及反应速度慢的薄膜；
4）设备内的平行电极方便实现大面积化。

第2题：

除（）、（）外，其余α-氨基酸都可参加转氨基作用。GOT和GPT的中文名称分别是（）、（）。

正确答案:Lys；Thr；谷草转氨酶；谷丙转氨酶

第3题：

RADIUS的英文和中文名称分别是______和______。

参考答案：RemoteAuthenticationDialInUserService，远程认证拨号用户服务

第4题：

问答题

简述低压CVD系统（LPCVD）的优缺点。

正确答案：反应速度限制为主、温度控制要求高。
优点：膜致密、颗粒少，硅片可密集摆放，台阶覆盖较好（主要决定于反应气体）。
缺点：速度较慢。

解析：暂无解析

第5题：

问答题

解释HDPCVD，它在IC中有什么优势？

正确答案：高密度等离子体化学气相淀积；HDPCVD在IC中的优势是有良好的间隙能力，并可以在300-400℃较低的淀积温度下，制备出能够填充高深宽比间隙的膜。

解析：暂无解析

第6题：

下列符号的中文名称分别是： PRPP（）；IMP（）；XMP（）；

正确答案:磷酸核糖焦磷酸；次黄嘌呤核苷酸；黄嘌呤核苷酸

第7题：

问答题

解释APCVD，使用APCVD SiO2的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？

正确答案：常压化学气相淀积；传统上这些膜通常作为层间介质（ILD），保护覆盖物或者表面平坦化；不是使用硅烷作为反应源。

解析：暂无解析

第8题：

简述PECVD薄膜沉积的原理。

正确答案:薄膜的沉积原理包括三个基本的过程：
1）等离子体反应，是指等离子体通过与具有能量的电子、离子或者基团等粒子碰撞，使通入到反应室中的气体分子分解的过程。其中等离子体包括自由基、原子和分子等中性粒子，以及离子和电子等非中性粒子。
2）输送粒子到基板表面，等离子体产生的粒子以扩散方式或离子加速的形式输运到基板表面。中性粒子受浓度梯度的驱动以扩散方式输运到基板表面，阳离子受等离子和基板间的电位差驱动而离子加速运动到基板表面。
3）在表面发生反应，当粒子达到基板表面时，通过一系列吸附、迁移、反应，以及中间产物的解吸附过程形成要沉积的薄膜。衬底温度对每一步都是致关重要的。

第9题：

名词解释题

APCVD（常压CVD）

正确答案：气相淀积在1个大气压下进行。

解析：暂无解析

第10题：

问答题

解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么？

正确答案：它是采用材料填充高深宽比的间隙并且无空洞形成的基础。 3:1

解析：暂无解析

APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是？

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