问答题晶圆的英文是什么?简述晶圆制备的九个工艺步骤。

题目
问答题
晶圆的英文是什么?简述晶圆制备的九个工艺步骤。
参考答案和解析
正确答案: Wafer。
(1)单晶硅生长:晶体生长是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。生长后的单晶硅被称为硅锭。可用CZ法或区熔法。
(2)整型。去掉两端,径向研磨,硅片定位边或定位槽。
(3)切片。对200mm及以上硅片而言,一般使用内圆切割机;对300mm硅片来讲都使用线锯。
(4)磨片和倒角。切片完成后,传统上要进行双面的机械磨片以去除切片时留下的损伤,达到硅片两面高度的平行及平坦。硅片边缘抛光修整,又叫倒角,可使硅片边缘获得平滑的半径周线。
(5)刻蚀。在刻蚀工艺中,通常要腐蚀掉硅片表面约20微米的硅以保证所有的损伤都被去掉。
(6)抛光。也叫化学机械平坦化(CMP),它的目标是高平整度的光滑表面。抛光分为单面抛光和双面抛光。
(7)清洗。半导体硅片必须被清洗使得在发给芯片制造厂之前达到超净的洁净状态。
(8)硅片评估。
(9)包装。
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相似问题和答案

第1题:

集成电路的主要制造流程是()

  • A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试
  • B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路
  • C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路
  • D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试

正确答案:A

第2题:

简述炼乳乳糖晶种的制备。


正确答案: 晶种粒径应在5μm以下。晶种制备的一般方法是取精制乳糖粉(多为α-乳糖),在100~105℃下烘干2~3h,然后经超微粉碎机粉碎,再烘干1h,并重新进行粉碎,通过120目筛就可以达到要求,然后装瓶、密封、储存。

第3题:

对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后,滑移现象变得更为严重,这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的?


正确答案: 硅片热不均匀的因素三个因素造成硅片的热不均匀问题(硅片边缘温度比中心低):
圆片边缘接收的热辐射比圆片中心少
圆片边缘的热损失比圆片中心大
气流对圆片边缘的冷却效果比圆片中心好
边缘效应造成的温度梯度通常在几十甚至上百度,不仅导致热处理工艺的不均匀,且可能造成滑移等缺陷和硅片的翘曲。

第4题:

填空题
晶圆制备中的整型处理包括()、()和()。

正确答案: 去掉两端,径向研磨,硅片定位边和定位槽
解析: 暂无解析

第5题:

问答题
晶圆的度量单位是什么?当前主流晶圆的尺寸是多少?

正确答案: 英寸12英寸
解析: 暂无解析

第6题:

简述非晶氢化氮化硅(α-SiNx:H)薄膜的优点及其制备工艺。


正确答案: (1)H原子对硅材料中的体缺陷和晶界起到钝化作用,降低表面复合速度,进而提高VOC和ISC。
(2)氮化硅还有良好的抗氧化、抗腐蚀和绝缘性能,以及良好的阻挡钠离子等金属离子和水蒸气的能力。
(3)氮化硅膜具有很高的正电荷密度,3~4×1012cm-3,有利于N区多子通过。制备工艺:使用PECVD法制备。在反应炉内通入SiH4和NH3(或N2)气体,使它在硅晶表面产生一层非晶氮化硅减反膜,在减反膜里含有原子比例约为40℅的氢原子。

第7题:

微晶玻璃的制备原理及其工艺过程。


正确答案: 有控制的析晶和诱导析晶是制备微晶玻璃的基础。成核和晶体长大是实现控制析晶的关键,对成核相晶体长大的控制,可使玻璃形成具有一定数量和大小的晶相。微晶玻璃一般是在玻璃的转变温度以上,主晶相的熔点以下成核和晶体长大。成核过程必须严格控制升温速度和成核温度。防止制品变形和不必要的多晶转变。

第8题:

沾污引起的电学缺陷引起(),硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

  • A、不会影响成品率
  • B、晶圆缺陷
  • C、成品率损失
  • D、晶圆损失

正确答案:C

第9题:

问答题
微晶玻璃的制备原理?无色透明微晶玻璃的制备?

正确答案: 微晶玻璃是用适当组成的玻璃控制结晶而成,它含有大量(典型的约占95-98%)细小的(在1μ 以下)晶体及少量残余玻璃相。微晶玻璃可以采用一般玻璃的熔制、成型方法,然后经过热处理后转变成为微晶材料。选用成核剂是制备微晶玻璃常用的方法。
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第10题:

问答题
什么是晶圆?晶圆的材料是什么?

正确答案: 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,材料是硅
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