损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。
第1题：
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
第2题：
（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。
第3题：
第4题：
淋溶（eluviation）与淀积（illuviation）过程
第5题：
大气环流是下列哪几种要素交换，输送的主要方式（）
第6题：
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
第7题：
对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。
第8题：
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
第9题：
淀积粘化
第10题：
淀积黏粒胶膜