第1题:
第2题:
当GTR发生的二次击穿,()
第3题:
GTR存在二次击穿现象。()
第4题:
UPS常用的电力电子器件有:()
第5题:
电力场效应管MOSFET()现象。
第6题:
第7题:
使用功率MOSFET时要注意()。
第8题:
P-MOSFET存在二次击穿现象。()
第9题:
GTR的主要缺点之一是()
第10题:
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。
问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。
问答题描述GTR的二次击穿特性。
单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿
关于二次击穿,以下说法正确的是()。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
判断题IGBT没有二次击穿现象。A 对B 错
问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
电力场效应管MOSFET在使用和存放时,要防止()A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和
单选题功率晶体管(GTR)从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。A 一次击穿B 二次击穿C 临界饱和D 反向截至
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。A GTO和GTR;B TRIAC和IGBT;C MOSFET和IGBT;D SCR和MOSFET;