第1题：
第2题：
当GTR发生的二次击穿，（）
第3题：
GTR存在二次击穿现象。()
第4题：
UPS常用的电力电子器件有：（）
第5题：
电力场效应管MOSFET（）现象。
第6题：
第7题：
使用功率MOSFET时要注意（）。
第8题：
P-MOSFET存在二次击穿现象。()
第9题：
GTR的主要缺点之一是（）
第10题：
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。
GTR的优点是控制方便、开关时间短，低频特性好，缺点是存在局部过热现象，可能导致二次击穿。
试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
Power MOSFET和GTR哪个易于并联，为什么？
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
单选题功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A 一次击穿B 二次击穿C 临界饱和D 反向截至
问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
判断题IGBT没有二次击穿现象。A 对B 错
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
