当GTR发生的二次击穿,()

题目
填空题
当GTR发生的二次击穿,()
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相似问题和答案

第1题:

当二次电压正常,二次电流显著降低时,可能发生了()。

A、电晕线断线

B、阴极或阳极的振打装置失灵

C、电缆击穿

D、气流分布板孔眼被堵


参考答案:B

第2题:

当二次电压正常,二次电流显著降低,可能是因为()造成的。

A电晕极断线;

B电晕线肥大;

C电缆击穿;

D气流分布板孔眼被堵。


B

第3题:

GTR存在二次击穿现象。()


正确答案:√

第4题:

当表盘显示二次电流不稳定,毫安表指针急剧摆动,则可能发生了()。

  • A、电晕线断线,其残留段摆动
  • B、电晕线肥大
  • C、电缆击穿
  • D、气流分布板堵

正确答案:A

第5题:

当GTR发生的一次击穿,()


正确答案:只要限制IC在一定范围内,GTR就会恢复,并能继续正常工作

第6题:

当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?()

A.雪崩击穿

B.齐纳击穿

C.热击穿

D.碰撞击穿


正确答案:A

第7题:

当表盘显示二次电压低,二次电流正常,则可能发生了()。

  • A、电晕线断线,其残留段摆动
  • B、电晕线肥大
  • C、电缆击穿
  • D、气流分布板堵

正确答案:B

第8题:

什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。


参考答案:当GTR的集电极电压升高至前面所述的击穿电压时,集电极电流迅速增大,这种首先出现的击穿是雪崩击穿,被称为一次击穿。出现一次击穿后,只要Ic不超过与最大允许耗散功率相对应的限度,GTR一般不会损坏,工作特性也不会有什么变化。但是实际应用中常常发现一次击穿发生时如不有效地限制电流,Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升,同时伴随着电压的陡然下降,这种现象称为二次击穿。二次击穿常常立即导致器件的永久损坏,或者工作特性明显衰变,因而对GTR危害极大。

第9题:

当GTR发生的二次击穿,()


正确答案:GTR将永久损坏无法工作

第10题:

电力场效应管MOSFET()现象。

  • A、有二次击穿
  • B、无二次击穿
  • C、防止二次击穿
  • D、无静电击穿

正确答案:B